TEKNOLOGI – Micron Technology menyiapkan sejumlah inovasi untuk meningkatkan kemampuan memori DRAM generasi berikutnya, mulai dari teknologi wafer bonding hingga litografi High-NA EUV. Perusahaan semikonduktor asal Amerika Serikat tersebut juga mengembangkan memori vertikal yang dapat ditempatkan langsung di atas prosesor untuk memenuhi kebutuhan komputasi kecerdasan buatan (AI). Menurut laporan Tom’s Hardware pada 26 Oktober 2026, strategi ini menjadi bagian dari peta jalan Micron setelah perusahaan meninggalkan rencana penggunaan arsitektur sel memori 4F².
Dalam acara teknologi perusahaan, Scott DeBoer, Presiden sekaligus Chief Technology and Products Officer Micron, menjelaskan bahwa pengembangan DRAM semakin mendekati batas fisik pada skala atom. Ia menyatakan, “DRAM saat ini semakin mendekati batas atomik.” Meski demikian, Micron masih melihat peluang untuk mengembangkan beberapa generasi DRAM konvensional sebelum beralih lebih jauh ke desain tiga dimensi.
Proses manufaktur 1γ milik Micron saat ini telah memasuki produksi massal. Generasi berikutnya, 1δ, dijadwalkan mulai diproduksi dalam volume besar pada paruh kedua 2027, dengan target peningkatan kepadatan bit sekitar 20 persen lebih. Teknologi tersebut juga dirancang untuk mendukung kebutuhan memori AI masa depan, termasuk HBM5 dan dua konsep memori vertikal yang sedang dikembangkan.
Setelah 1δ, Micron berencana memperkenalkan wafer bonding pada proses 1ε. Untuk generasi berikutnya, perusahaan akan memanfaatkan litografi High-NA EUV dan material baru guna memperkecil sel memori sekaligus meningkatkan kepadatan penyimpanan. Micron juga meneliti DRAM tiga dimensi, tetapi penerapannya akan bergantung pada biaya produksi, kompleksitas manufaktur, dan keuntungan performa yang diperoleh.
Salah satu inovasi yang menarik perhatian adalah vertical High-Bandwidth Memory (vHBM). Berbeda dari HBM konvensional yang ditempatkan di samping prosesor, teknologi ini menumpuk memori tepat di atas chip pemroses. Jarak koneksi yang lebih pendek berpotensi mengurangi latensi dan meningkatkan bandwidth. Namun, desain tersebut menghadapi tantangan pendinginan karena panas dari prosesor dan tumpukan memori harus dikelola secara bersamaan.
More Read
Micron juga mengembangkan vertical Edge Inference Memory (vEIM) untuk perangkat AI di lingkungan terbatas daya, seperti robot dan kendaraan otonom. Generasi pertamanya menargetkan bandwidth hingga 2 TB per detik dengan konsumsi energi kurang dari 1 picojoule per bit.
Kedua teknologi memori vertikal tersebut masih dalam tahap pengembangan. Micron tengah meneliti teknik hybrid bonding dan struktur penyebar panas untuk mendukung integrasi yang lebih rapat. Pendekatan ini berpotensi mengubah desain akselerator AI, karena kemampuan memori nantinya semakin bergantung pada integrasi langsung dengan prosesor, bukan hanya kapasitas penyimpanan.
